삼성·SK하이닉스, 차세대 모바일 D램 동시개발(종합)
삼성전자와 SK하이닉스가 30일 세계 최초로 차세대 '8기가비트(Gb) LPDDR4 모바일 D램'을 동시에 개발했다. 이에 따라 지금까지 'LPDDR3' 규격에 머물던 모바일 D램 시장이 또 한번 세대교체를 이룰 전망이다. LPDDR (Low Power Double Data Rate)은 스마트폰 등 모바일 기기에 주로 사용되는 D램 반도체로, 내년 말부터 플래그십 모바일 기기에 채용돼 2015년부터 시장이 본격화되고, 2016년 주력 제품이 될 것으로 예상된다. 삼성전자가 개발한 '8기가비트 LPDDR4 모바일 D램'은 최첨단 20나노급 공정을 적용한 제품으로 해당 칩 4개를 적층해 '4기가바이트(GB) D램'을 구성할 수 있다. 특히 '8기가비트 LPDDR4 모바일 D램'은 삼성전자가 독자 개발하고, 제덱(JEDEC)이 표준으로 확정한 LVSTL(Low Voltage Swing Terminated Logic) IO 인터페이스 기술을 적용해 기존 LPDDR3 보다 2배 빠른 데이터 처리속도인 3200Mb/s를 모바일 D램 최초로 구현했다. 1.1볼트(V) 저전력 아키텍쳐를 적용해 소비전력도 40% 낮췄다. 이에 따라 삼성전자는 내년에 풀HD보다 4배 높은 초고화질 UHD를 지원하는 대화면 스마트폰, 태블릿, 울트라슬림 노트북과 함께 최신 고성능 네트워크 등 프리미엄 시장을 공략해 갈 예정이다. 전영현 메모리사업부 전략마케팅팀장은 "차세대 LPDDR4 모바일 D램은 내년 D램 시장에서 가장 큰 비중을 차지할 모바일 D램의 성장에 기여할 것"이라며 "향후 차세대 모바일 D램과 솔루션을 한 발 앞서 출시해 글로벌 모바일 업체들이 혁신적인 모바일 기기를 적기에 출시하고, 소비자에게 편리함을 제공하는 데 기여할 것"이라고 말했다. SK하이닉스가 새로 개발한 20나노급 8Gb LPDDR4는 시장 주력제품인 LPDDR3 대비 데이터 전송속도는 높이고, 동작전압은 낮춘 것이 특징이다. 기존 LPDDR3의 1600Mbps 대비 2배 빠른 3200Mbps 이상의 데이터 전송속도를 갖췄고, 동작전압 측면에서도 기존 LPDDR3의 1.2V 대비 낮은 1.1V를 구현했다. SK하이닉스는 이 제품의 샘플을 주요 고객 및 SoC(System on Chip) 업체에 제공해 새로운 모바일 D램 규격 표준화를 위한 협업을 강화하고 있다. 진정훈 마케팅본부장은 "향후 고용량, 초고속, 저전력 제품 개발을 통해 모바일 분야 경쟁력을 강화하겠다"고 설명했다.
