SK하이닉스가 7세대 고대역폭메모리(HBM4E) 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다. 출하 시점을 다투던 HBM 경쟁이 HBM4E를 기점으로 고객 요구에 맞춘 맞춤형(커스텀) 승부로 옮겨가는 양상이다.

18일 SK하이닉스에 따르면 회사는 이날 인공지능(AI)용 초고성능 D램 신제품인 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 밝혔다.

SK하이닉스는 "그동안 축적해온 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 고객들에게 선보일 수 있었다"며 "핵심 고객사들과 긴밀히 협업해 적기 양산에 만전을 기하겠다"고 설명했다.

SK하이닉스는 올해 1분기 실적 콘퍼런스콜에서 HBM4E 샘플을 올해 하반기에 공급하겠다고 밝힌 바 있다. 다만 SK하이닉스 관계자는 "당시 언급은 전망 수준이었으며 개발을 진행하는 과정에서 이번 시점에 샘플 공급이 이뤄진 것" 이라고 설명했다. 그러면서 양산 목표 시점에 대해서는 밝히지 않았다.

HBM4E는 고객 맞춤형 제품이라는 점이 특징이다. SK하이닉스는 HBM4E가 커스텀 제품인 만큼 고객 요구를 반영하는 것이 중요하다고 설명했다. 시장조사업체 트렌드포스는 지난해 보고서에서 HBM4E와 HBM5를 고객 요구에 맞춘 커스텀 HBM 중심 세대로 분류했다.

이번 제품은 전작인 HBM4 대비 성능과 전력 효율을 높였다. 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현했고 에너지 효율은 20% 이상 개선했다. 칩을 적층한 뒤 칩 사이 공간에 액체 형태의 보호재를 주입해 굳히는 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현했다. 열 저항은 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서 안정성을 높였다.

커스텀 HBM 경쟁에서는 코어 다이와 베이스 다이를 어떤 공정으로 구성하느냐가 변수로 꼽힌다. 트렌드포스에 따르면 SK하이닉스는 HBM4E 코어 다이에 HBM4(1b)보다 진전된 1c D램 공정을 적용하고, 베이스 다이는 TSMC 3나노 공정을 활용할 것으로 알려졌다. 마이크론도 TSMC에 HBM4E 베이스 다이 생산을 맡겨 2027년 양산을 목표로 하고 있으나, 비용 절감을 위해 기존 D램 공정을 유지하는 점이 변수로 거론된다.

트렌드포스에 따르면 HBM 수요는 2026년 전년 대비 77%, 2027년에는 68% 증가할 것으로 추정된다. HBM4E는 2027년 전체 HBM 수요의 약 40%를 차지할 전망이다.

앞서 삼성전자는 지난달 29일 업계 최초로 HBM4E 12단 샘플 출하를 발표했다. HBM4E와 HBM5가 커스텀 HBM 중심 세대로 전환되면서 향후 경쟁은 고객 요구를 반영한 설계와 성능 검증, 안정적인 공급 역량 확보에 집중될 것으로 보인다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO)은 "그동안 쌓아온 업계 최고의 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E 제품에서도 이어가 AI 혁신을 지속적으로 리드해 갈 수 있는 기반을 마련했다"며 "파트너들과 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 선제적으로 구현해 풀 스택 AI 메모리 크리에이터로서의 기술 리더십을 공고히 하겠다"고 말했다.