SK하이닉스가 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24기가바이트(GB)를 구현한 고대역폭메모리(HBM) 4세대 제품을 개발했다고 20일 밝혔다. SK하이닉스는 상반기 중 양산에 나설 계획이다.

HBM는 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 현존 최고 성능 D램으로, 여러 개의 D램을 수직으로 연결하는 것이 핵심 기술력 중 하나다.

SK하이닉스는 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB(기가바이트)를 구현한 HBM3 신제품을 개발하고, 고객사로부터 제품의 성능 검증을 받고 있는 중이다.

이 제품은 D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 16GB의 기존 HBM3보다 최대 용량이 50% 확대한 고부가가치, 고성능 제품이다. SK하이닉스의 HBM3는 최대 819GB/s(초당 819기가바이트)의 속도를 구현하며, FHD(Full-HD) 영화 163편을 1초에 전송 가능하다.

SK하이닉스는 한정된 공간 위에 D램을 안정적으로 쌓아올리는 데 성공하며 기술적 한계를 다시 한번 넘어섰다. SK하이닉스는 현재 다수의 글로벌 고객사에 HBM3 24GB 샘플을 제공해 성능 검증을 진행 중이다. 고객들 역시 이 제품에 대해 큰 기대감을 보이고 있는 것으로 알려졌다.

SK하이닉스는 "최근 AI 챗봇(Chatbot·인공지능 대화형 로봇) 산업이 확대되면서 늘어나고 있는 프리미엄 메모리 수요에 맞춰 하반기부터 시장에 신제품을 공급할 수 있을 것"이라고 강조했다.

SK하이닉스 기술진은 이번 제품에 '어드밴스드(Advanced) MR-MUF'와 'TSV' 기술을 적용했다고 밝혔다. 어드밴스드 MR-MUF 기술은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정이다. 이를 통해 공정 효율성과 제품 성능 안정성이 강화된다.

또 어드밴스드 패키징(Advanced Packaging) 기술의 일종인 TSV(Through Silicon Via)를 통해 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결했다. D램 칩의 두께가 40% 얇아져, 기존 16GB 제품과 같은 높이로 제품을 구현했다.

SK하이닉스가 2013년 세계 최초로 개발한 HBM은 고성능 컴퓨팅을 요구하는 생성형 AI에 필수적인 메모리 반도체 제품으로 업계의 주목 받고 있다. 특히 이 회사가 지난해 6월 세계 최초로 양산한 HBM3는 대량의 데이터를 신속히 처리하는 데 최적의 메모리로 평가받으며, 빅테크 기업들의 수요가 점차 늘어나고 있다.

홍상후 SK하이닉스 부사장(P&T담당)은 "세계 최고의 후공정 기술력을 바탕으로 초고속, 고용량 HBM 제품을 연이어 개발해낼 수 있었다"며 "상반기 내 이번 신제품 양산 준비를 완료해 AI 시대 최첨단 D램 시장의 주도권을 확고히 해나가겠다"고 말했다.