삼성전자가 메모리 시장 침체 속에서도 더 높은 낸드플래시를 내놓고 초격차 기술력을 뽐냈다.

삼성전자는 1Tb 8세대 V낸드 양산을 시작했다고 7일 밝혔다.

삼성전자는 8세대 V낸드 구체적인 단수를 밝히지는 않았지만, 7세대가 176단이었던 만큼 200단대로 추정된다. 지난7월 미국 마이크론이 232단 낸드 양산을 발표한 이후 업계에서 두번째다.

특히 8세대 V낸드는 삼성전자 낸드 생산성을 높이고 원가를 낮추는데 크게 기여할 것으로 기대된다. 삼성전자도 메모리 시장 침체 속에서 수익성을 극대화할 수 있을 전망이다.

삼성전자 '초격차' 전략도 다시 힘을 얻게 됐다. 삼성전자는 최근 테크데이 행사를 통해 2024년 200단대 후반으로 추정되는 9세대 V낸드 양산, 2030년에는 1000단 V낸드를 개발하겠다는 청사진을 제시한 바 있다. 삼성전자가 잇따라 '세계 최초' 타이틀을 뺏기면서 기술력에 대한 우려도 있었지만, 늦지 않게 200단대에 돌입하면서 기대감도 다시 커지는 모습이다.

성능도 이전 세대 대비 약 1.2배나 개선했다.최신 인터페이스인 'Toggle DDR 5.0'을 적용해 최대 2.4Gbps의 데이터 입출력 속도를 지원한다. PCIe 4.0을 지원하며, 추후 PCIe 5.0도 지원할 예정이다.

삼성전자는 8세대 V낸드를 통해 사업 영역도 확대한다는 포부도 밝혔다. 차세대 엔터프라이즈 서버 시장 고용량화를 주도화하는 것은 물론, 자동차 시장으로도 확장한다는 방침이다. 지난 컨퍼런스콜을 통해 서버 시장이 견조하다고 평가하며 자동차 시장에서도 수요가 늘어나고 있다고 밝힌 바, 이에 대응해 메모리 위기를 극복하겠다는 의지로 풀이된다.

삼성전자 메모리사업부 Flash개발실 허성회 부사장은 "시장의 고집적, 고용량에 대한 요구로 V낸드의 단수가 높아짐에 따라 3차원 스케일링(3D scaling) 기술로 셀의 평면적과 높이를 모두 감소시키고, 셀의 체적을 줄이면서 생기는 간섭 현상을 제어하는 기반 기술도 확보했다"며, "8세대 V낸드를 통해 시장의 수요를 만족시키고, 더욱 차별화된 제품과 솔루션을 제공해 나갈 것"이라고 말했다.