SK하이닉스가 지난달 말 차세대 낸드플래시를 세계 최초로 개발했다고 4일 밝혔다.

'CTF 기반 4D낸드플래시'가 이름이다. 칩 하나로 64GB를 저장할 수 있는 고부가가치 제품으로, 연내 초도 양산을 시작할 예정이다.

4D낸드플래시는 세계 최초로 CTF(Charge Trap Flash) 구조에 PUC(Peri Under Cell)를 결합해 만들었다.

CTF는 셀 간섭을 최소화하는 기술로, 국내외 낸드플레시 업체들이 주로 사용하고 있다. PUC는 페리회로를 셀영역 하부에 배치해 공간 효율을 극대화한다.

4D 낸드플래시 구조는 96단 512Gbit다. 72단 제품보다 칩 크기가 30% 이상 줄어들면서, 웨이퍼 당 비트 생산량도 1.5배 늘었다. 동시 처리 가능 데이터도 칩 내부에 플레인을 4개 배치해 2배 많은 64KB를 실현했다. 읽기와 쓰기 능력도 30% 가량 빠르다. 전력 효율도 150% 개선됐다.

SK하이닉스는 연내 4D낸드로 개발한 SSD를 출시할 예정이다. 차세대 스마트폰에 탑재될 UFS 3.0 제품에도 4D낸드로 구성키로 했다. 내년에는 1TB TLC와 QLC 출시로 이어간다는 계획이다.

김정태 SK하이닉스 NAND마케팅 담당 상무는 "향후 개발 플랫폼이 될 CTF 기반 96단 4D 제품은 업계 최고 수준의 원가경쟁력과 성능을 동시에 갖춘 SK하이닉스 낸드플래시 사업의 이정표가 될 것"이라면서, "연내 초도 양산을 시작하고, 향후 최근 준공한 M15에서도 본격 양산에 돌입해 고객 요구에 적극 대응할 것이다"고 말했다.

한편 SK하이닉스는 차세대 128단 4D낸드플래시도 개발 중이다.