삼성전자 메모리사업부가 글로벌 반도체 시장에서 압도적인 기술력을 바탕으로 경쟁력을 키워가고 있다.

삼성전자는 그동안 축척된 메모리 반도체 공정 기술력을 바탕으로 PC와 모바일 메모리 제품 성능을 극대화 시키고 있다. 삼성전자는 모바일 D램의 20나노 시대를 본격화한다. 삼성전자는 세계 처음으로 20나노 공정을 적용한 차세대 '8기가비트(Gb) LPDDR4(Low Power Double Data Rate 4)' 모바일 D램을 양산하며 '4기가바이트(GB) 모바일 D램 시대'를 열었다고 23일 밝혔다.

20나노 8Gb LPDDR4 모바일 D램은 1GB 칩 4개로 모바일 D램 최대 용량인 4GB를 구성할 수 있는 제품이다. 기존 LPDDR3 제품보다 2배 빠르게 데이터를 처리하면서 소비전력을 최대 40% 절감할 수 있다.

8기가비트 LPDDR4는 독자 개발한 LVSTL 기술로 일반 PC D램(1600Mb/s) 보다 2배 빠른 3200Mb/s로 데이터를 처리한다. 초고화질(UHD)급의 동영상과 2000만화소 이상의 초고화질 사진을 연속으로 촬영할 수 있다.

이로써 삼성전자는 한 차원 높은 '초고속, 초절전, 고용량' 솔루션을 제공할 수 있게 됐다. 이같은 기술력으로 삼성전자의 내년 글로벌 모바일 D램 시장 전망도 밝아지고 있다. 삼성전자의 갤럭시 시리즈 뿐만 아니라 애플 아이폰 등 유명 스마트폰에 쓰일 차세대 '초고속 초절전 고용량' 모바일 D램으로 평가되고 있기 때문이다. 올해 애플 등 글로벌 모바일 기기 제조업체의 하이엔드 제품 출시에 맞춰 2기가·3기가바이트 LPDDR4 D램을 동시에 공급해온 삼성전자는 내년 4기가바이트 LPDDR4 D램을 본격 공급할 계획이다.

삼성전자는 모바일 뿐만아니라 PC 분야에서도 메모리반도체 시장의 강자임을 입증했다. 삼성전자는 지난 8일 세계 최초로 3차원 V낸드를 활용한 소비자용 SSD(솔리드스테이트드라이브)를 선보였다. 현재 3비트(TLC) V낸드 기반의 소비자용 SSD '850 에보(EVO)'를 한국과 미국, 중국, 독일 등 53개국에서 출시했다. 이에 따라 게임용 PC와 노트북 등에 사용되는 소비자용 SSD 시장이 V낸드 체제로 빠르게 전환될 전망이다. TLC V낸드를 활용해 저장용량은 1.5배 늘렸으며, 초당 연속 쓰기 속도는 520MB, 읽기 속도는 540MB로 최고 수준이다.

한편 삼성전자는 내년 미국 라스베이거스에서 열리는 '세계가전전시회(CES) 2015'에서 '4GB LPDDR4 모바일 D램'으로 혁신상을 수상, 메모리 업계에서는 유일하게 모바일D램으로 3년 연속 혁신상을 받는다.