삼성전자가 산업통상자원부 주최로 13일 열린 '2014 대한민국 기술대상' 시상식에서 '초미세 20나노 D램'으로 3년 연속 최고상인 대통령상을 수상했다.

삼성전자는 20나노 초미세 공정으로 세계 최소 칩 크기의 D램을 업계 최초로 개발했고, 양산에도 돌입했다. 이로써 삼성전자는 지난 2012년 '갤럭시 노트2', 2013년 3차원 셀 구조 V낸드에 이어 3년 연속 '대한민국 기술대상' 대통령상을 받게 됐다.

이 제품은 기존 제품 대비 생산성을 30% 끌어올렸고 소비전력은 25% 감소시켰다. 차세대 노광기술인 극자외선(EUV) 패터닝 기술개발 지연에 따라 기존 노광기술을 개량한 초미세 패터닝 기술을 적용했다. 분자 단위 증착기술에서 원자단위 증착기술을 적용해 높은 종횡비의 미세 커패시터를 실현했다.

뿐만 아니라 저용량 데이터 셀 구동을 위한 코어 설계 기술을 개발해 적용한 것도 특징이다. 삼성전자는 향후 10나노급 차세대 미세공정의 한계를 극복할 수 있는 기반 기술을 확보했다는 데 의미를 부여했다.

삼성전자는 지난 3월 세계 최초로 20나노 PC용 D램 양산에 성공했다. 지난 9월에는 모바일 D램을 선보였고 10월에는 서버용 D램에도 20나노 공정을 적용하며 '20나노 D램 시대'를 주도할 풀 라인업을 구축했다.