SK하이닉스가 기존 제품 대비 데이터 처리 속도가 4배 이상 빠른 모바일 D램 개발에 성공했다고 3일 밝혔다.

SK하이닉스가 개발한 와이드 IO2는 차세대 고성능 모바일 D램으로 20나노급 공정을 적용한 8기가비트(Gb) 용량의 제품이다. 기존 제품(LPDDR4)에서는 초당 12.8기가바이트(GB)의 데이터 처리가 가능했지만, 이 제품은 초당 51.2GB의 데이터를 처리할 수 있다. 덕분에 초당 데이터 처리 속도가 기존 LPDDR4보다 4배 빨라 현존하는 모바일 D램 가운데 최고 성능을 자랑한다.

SK하이닉스는 현재 시제품을 내놓은 상태이며, 내년 하반기부터 양산할 계획이라고 했다.

SK하이닉스 모바일개발본부장 김진국 상무는 "고성능 모바일 D램에 대한 고객의 요구를 만족시킬 것"이라며 "고성능, 저전력 제품을 개발해 모바일 D램 시장의 기술 주도권을 확보할 것"이라고 말했다.