동부하이텍(대표 최창식)은 21일 스마트폰 핵심부품인 전력반도체 제조에 최적화된 공정기술을 개발했다고 밝혔다.

이번에 개발한 제조공정기술은 0.13미크론급 복합전압소자(BCDMOS) 공정을 기반으로 하고 있다. 동부하이텍은 이를 기반으로 퀄컴·미디어텍 등 전력반도체 선두기업 프로모션에 나서고 있다.

최근 퀄컴 등 팹리스(반도체설계전문기업)들이 전력반도체 설계시 칩 사이즈 최소화를 위해 기존 0.18에서 0.13미크론급으로 개발공정을 미세화하고 있다. 동부하이텍도 이에 맞춰 해당 공정을 개발해 관련 파운드리 시장을 선점한다는 전략이다.

스마트폰에는 보통 7~8개의 전력반도체가 들어가는데, 이번 공정기술은 스마트폰의 핵심부품인 어플리케이션프로세서(AP)와 베이스밴드칩(BB, 모뎀칩)에 전력을 공급하는 전력반도체 제조에 최적화됐다.

AP와 베이스밴드칩은 스마트폰 기능 증가에 따라 방대하고 다양한 데이터를 처리한다. 특히 이와 연동되는 전력반도체도 다양한 기능을 포함해 칩 크기가 커질 수 밖에 없고, 미세화 공정에 대한 요구도 커졌다.

이 회사 관계자는 "AP와 베이스밴드칩용 전력반도체는 다양한 기능으로 칩 크기가 큰 만큼 개당 가격도 대략 2 달러 수준으로, 1달러 미만인 다른 종류의 전력반도체에 비해 고가"라며 "성장성이 높고 부가가치가 높은 분야를 적극 공략해 지속적인 성장을 이뤄나갈 계획"이라고 밝혔다.

시장조사기관 아이서플라이에 따르면 스마트폰 및 태블릿용 전력반도체 시장은 작년 24억 달러에서 올해 30억 달러 규모로 성장하고, 2017년까지 연평균 10%의 높은 성장률을 보일 예정이다.