SK하이닉스(대표 박성욱)가 18일(현지시간) 산호세 소재 미국 법인에서 '2014 SK하이닉스 HBM(초고속 메모리) 심포지엄'을 개최했다. 이번 행사에는 20여 개 주요고객 및 파트너 업체에서 100여 명이 참여했다.

SK하이닉스는 지난해 말 TSV(실리콘관통전극) 기술을 적용한 HBM을 최초로 개발해 올해 상반기 샘플을 전달한 바 있다. 이번 심포지엄에서는 중장기 HBM 로드맵을 소개해 다양한 응용 분야의 고객과 HBM 생태계 확대를 위한 협력을 강화할 예정이다.

특히 SK하이닉스의 HBM 개발에 협력 중인 회사들도 발표자로 참여해 의미를 더했다. HBM은 기능성 패키지 기판인 인터포저위에 SoC(System on Chip)와 함께 탑재해 하나의 시스템을 이루는 SiP(System in Package) 형태로 공급된다. 이에 따라 칩셋, 파운드리, 패키징 및 완제품 업체 등 고객 및 파트너와의 협업이 중요하다.

SK하이닉스가 소개한 HBM은 TSV 기술을 활용해 20나노급 D램을 4단 적층한 형태다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다. 고사양 그래픽 시장 채용을 시작으로 향후 네트워크, 슈퍼컴퓨터, 서버 등으로 응용 범위가 확장될 전망이다.

강선국 기술마케팅 담당 수석은 "다양한 응용 분야의 고객 및 파트너와 HBM에 대한 이해를 높일 수 있는 좋은 기회였다"며 "협력 관계를 강화해 차세대 고성능, 저전력, 고용량 제품인 HBM 시장을 선도해 가겠다"고 밝혔다.