SK하이닉스(대표 박성욱)가 세계 최초로 20나노급 8Gb(기가비트) DDR4 기반 최대용량 128GB(기가바이트) 모듈을 개발했다고 6일 밝혔다.

이 제품은 TSV 기술을 활용해 기존 최고 용량인 64GB의 두 배에 이르는 최대용량을 구현했다. 속도 측면에서도 DDR3의 데이터 전송속도인 1333Mbps보다 빠른 2133Mbps를 구현했고, 64개의 정보입출구(I/O)를 가진 모듈을 통해 초당 17GB의 데이터를 처리할 수 있다. 동작전압도 기존 DDR3의 1.35V에서 1.2V로 낮췄다.

SK하이닉스는 최근 8Gb DDR4 기반 64GB 모듈에 이어 128GB까지 세계 최초로 연속 개발해 주요 고객에 샘플을 제공해 서버용 D램 시장에서도 기술리더십을 이어가게 됐다. SK하이닉스는 이 제품을 내년 상반기부터 양산할 계획이다.

홍성주 DRAM개발본부장은 "세계 최초로 128GB DDR4 모듈을 개발함으로써 초고용량 서버 시장을 열어간다는 데 의의가 있다"며 "향후 고용량·초고속·저전력 제품을 개발해 프리미엄 D램 시장을 주도해 나갈 것"이라고 밝혔다.

한편 시장조사기관인 가트너에 따르면 서버용 D램 시장은 모바일 환경 확대에 따라 2018년까지 연평균 37%에 이르는 고성장을 이어갈 전망이다. DDR4 D램은 2014년 고객 인증을 시작으로 2015년부터는 시장이 본격화돼 2016년 이후 시장 주력제품이 될 것으로 예상된다.

-용어설명:TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극)는 2개 이상의 칩을 수직 관통하는 전극을 형성해 칩간 전기적 신호를 전달하는 첨단 패키지 방식으로, 성능은 높이면서 크기를 줄일 수 있다.