SK하이닉스도 3세대 10나노급(1z) D램 시장에 뛰어들 채비를 마쳤다.

SK하이닉스는 최근 1z 공정을 적용한 16Gbit DDR4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다.

SK하이닉스가 개발한 제품은 단일칩 기준으로 업계 최대 용량인 16Gb를 구현해 웨이퍼 1장에서 가장 많은 용량을 생산할 수 있다. 지난 세대와 비교하면 생산성이 약 27% 향상됐다. 극자외선(EUV) 노광 공정 없이도 생산할 수 있어 원가 경쟁력도 높였다.

데이터 전송 속도는 DDR4 최고인 3200Mbps다. 전력 효율은 2세대 8Gb 제품 대비 40%나 줄였다.

특히 새로운 물질을 적용하면서 데이터 유지 시간을 늘리는 등 정전용량을 극대화하고 안정성도 높일 수 있었다.

D램개발사업 1z TF장 이정훈 담당은 "3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰, 고성능/고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품"이라며 "연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것"이라고 말했다.