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삼성전자, 이어진 1x 나노 D램 불량…전화위복 될까

삼성전자가 1x 나노급 D램 불량 리스크를 여전히 해결하지 못한 것으로 알려졌다. 삼성전자 딜라이트 홍보관. /삼성전자



삼성전자가 1x nm(1세대 10나노미터) D램 불량 리스크를 아직 완전히 벗어나지 못한 것으로 알려졌다. 메모리 반도체 시장 침체가 예정된 올해, 오히려 전화위복이 될 수 있다는 관측도 나온다.

24일 반도체 업계 등에 따르면 삼성전자는 미국에 있는 모 서버운영 업체로부터 1x 나노 D램 불량 원인을 확인해달라고 통보받았다.

문제가 된 부분은 게이트 옥사이드다. 전압을 조정하는 역할을 하며, 조건에 따라 데이터가 손실되는 현상을 일으킬 수 있다. 불량 규모가 이전보다 크다는 전언이다.

예상 원인은 설계와 초기 공정, 장비 오작동 등 다양하다. 삼성전자는 원인을 찾기 위해 분주하게 움직이고 있다.

앞서 삼성전자는 지난해 2분기 1x 나노 D램 불량 증가로 기대 이하 출하량을 기록한 바 있다. 당시 컨퍼런스콜에서 불량을 해결했다고 밝혔지만, 업계에는 여전히 크고 작은 불량 사례가 전해지고 있는 상황이다.

관련 업계 관계자는 "불량이 발생해 요청을 받아 원인을 찾고 문제를 해결하는 일은 반도체 업계에 자주 있는 일"이라며 "규모가 크거나 원인을 찾지 못하면 큰 문제로 번진다"고 설명했다.

삼성전자는 이에 대해 "확인해 줄 수 없다"고 답변한 상태다. 서버 운영 업체도 내용을 확인해주지 못한다고 밝혔다.

일단 삼성전자는 여전히 초격차를 확대하며 시장 주도권을 확고히 하려는 모습이다. 최근 3세대 10나노(1z) D램 개발을 선언하고 하반기부터 양산을 시작하겠다고 선언한 것.

이는 삼성전자가 기술력으로 위기를 극복하겠다는 전략으로 추정된다. 1x D램 불량 이슈가 불거진 당시 삼성전자가 차세대 반도체 도입 계획을 연기할 수 있다는 우려가 나왔었다.

시기적 이점도 있다. 올해 반도체 시장 침체에 일부러 물량을 줄이지 않으면서도 자연스럽게 10나노 초중반대 공정으로 전환할 수 있기 때문이다.

D램 시장 격차가 더 벌어질 수도 있는 셈이다. 반도체 업계는 대부분 1x 나노급 D램 확대에 분주한 상황이다. SK하이닉스도 1y 공정 양산을 아직 시작하지 못했다. 삼성전자가 1y 공정 비중을 빠르게 늘린다면 효율과 성능 격차도 벌어질 수밖에 없다.

단, 투자금액이 문제다. 올해 삼성전자는 위기 극복 전략으로 투자를 줄이는 등 긴축을 발표했었다. 이재용 부회장이 대법원 판결을 앞두고 있어 대규모 투자 결정도 쉽지 않은 상황이다.
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