삼성전자가 또다시 메모리반도체 초격차를 벌리면서 '진짜 실력'을 유감없이 뽐냈다.

1일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 이날 기흥캠퍼스 17라인에서 3세대(1z) D램 양산을 시작했다.

1z는 10세대 초중반 나노대 공정을 적용한 제품으로, 기존 제품과 비교해 더 작고 전력 소비가 적은 게 특징이다. 반도체는 특성상 수율을 높여 가격 경쟁력을 높일 수 있다. 1z D램은 기존 공정보다 정교하고 미세해 완제품의 디자인 효율성을 높여줄 뿐 아니라 저전력 특성을 활용할 수도 있다.

이에 앞서 삼성전자는 올 초 1z D램 개발에 성공한 바 있다. 이보다 전 세대인 1y D램은 지난해 7월 양산에 돌입했다. 1z 공정의 양산으로 삼성전자는 15개월여만에 또 한번 벽을 뛰어넘은 셈이다.

이번에 양산되는 제품은 15.8나노로, 추후 14나노까지 공정 미세도를 줄일 예정이다.

삼성전자는 일단은 종전에 쓰던 공정을 적용했지만, 추후 극자외선(EUV) 공정을 도입해 수나노대 초극미세 제품 양산을 확대할 것으로 알려졌다.

삼성전자 관계자는 "1z D램은 올해 중으로 양산할 예정인 게 맞다"면서도 "이날 기흥캠퍼스에서 해당 제품을 양산했는지 여부는 확인해줄 수 없다"고 말했다.

한편 SK하이닉스는 내년 중으로 1z D램을 개발하고 양산에 돌입할 예정으로 전해졌다. 미국 마이크론도 최근에서야 1z D램 개발에 성공, 내년에서야 양산에 돌입할 것으로 예상된다.