SK하이닉스, D램보다 빠른 HBM2E 개발 성공
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SK하이닉스, D램보다 빠른 HBM2E 개발 성공

최종수정 : 2019-08-12 11:14:01

SK하이닉스는 초고속 D램인 HBM2E를 개발했다. SK하이닉스
▲ SK하이닉스는 초고속 D램인 HBM2E를 개발했다. /SK하이닉스

SK하이닉스가 D램 처리 속도를 획기적으로 끌어올렸다.

SK하이닉스는 12일 'HBM2E' D램 개발에 성공했다고 밝혔다.

HBM2E는 처리속도를 D램보다 혁신적으로 끌어올린 HBM D램의 차세대 제품이다. 이전 규격인 HBM2보다 50% 빠르다.

SK하이닉스 HBM2E는 3.6기가비트(Gbit/s) 처리 속도를 구현한다. 1024개의 정보출입구(I/O)로 초당 460GByte 데이터가 처리된다.

풀HD급 영화 124편 분량을 1초만에 처리하는 속도다. 16Gb 칩 8개를 TSV 기술로 수직연결해 저장 용량도 16GB나 된다.

HBM2E는 고성능 GPU와 머신러닝, 슈퍼컴퓨터 등에 적합한 고사양 메모리다. 모듈 형태로 만들어 메인보드에 연결하기보다는 GPU 등과 같은 시스템 반도체에 붙여서 장착해 더 빠르게 데이터를 처리할 수 있게 한다.

SK하이닉스 HBM사업전략 전준현 담당은 "SK하이닉스는 2013년 세계 최초로 HBM D램을 출시한 이후 지금까지 기술 경쟁력을 바탕으로 시장을 선도해왔다"며 "HBM2E 시장이 열리는 2020년부터 본격 양산을 개시해 프리미엄 메모리 시장에서의 리더십을 지속 강화하겠다"고 말했다.

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