3진법 반도체 웨이퍼가 국내 연구진 손에서 구현됐다. 삼성 미래육성 사업 결실이다.

17일 삼성전자에 따르면 울산과학기술원(UNIST) 전기전자컴퓨터공학부 김경록 교수 연구팀은 최근 세계 최초로 '3진법 금속-산화막-반도체'를 대면적 실리콘 웨이퍼에서 구현해냈다.

3진법 반도체는 현재 쓰이는 2진법 반도체를 더 빠르게 만들면서도 소비 전력을 줄일 수 있는 방법이다. 집적도를 높이면 발생하는 누설전류를 역이용하는 방법을 사용했다.

연구 결과는 15일(현지시간) 영국 학술지 네이처 일렉트로닉스에 발표됐다. 전세계적으로 상용화를 향한 움직임도 활발해질 전망이다.

김 교수 연구팀은 삼성미래기술육성사업 지정테마로 선정돼 지원을 받아 이번 연구를 성공시켰다. 삼성전자 파운드리 사업부 팹 미세 공정을 이용해 3진법 반도체 구현을 검증하기도 했다.



김경록 교수는 "이번 연구결과는 기존 2진법 반도체 소자 공정 기술을 활용해 초절전 3진법 반도체 소자와 집적회로 기술을 구현했을 뿐만 아니라, 대면적으로 제작돼 3진법 반도체의 상용화 가능성까지 보여줬다는 것에 큰 의미가 있다"며 "기존 2진법 시스템 위주의 반도체 공정에서 3진법 시스템으로 메모리 및 시스템 반도체의 공정·소자·설계 전 분야에 걸쳐 미래 반도체 패러다임 변화를 선도할 것"이라고 말했다.