국내 반도체 업계가 후발 주자들의 추격을 더 멀찍이 따돌리고 있다. 삼성전자에 이어 SK하이닉스도 2세대 10나노 D램 시대를 열어젖히면서다. 세대를 뛰어넘는 미세공정인 EUV(극자외선) 도입도 머지 않았다는 평가다. 격차가 좁아진 메모리 시장에서는 차세대 제품으로 시장을 뒤흔들 것이라는 기대도 나온다.



◆D램, EUV 타고 10나노 미만으로

12일 반도체업계에 따르면 1y 공정을 적용한 D램은 전 세계에서 삼성전자와 SK하이닉스, 미국 마이크론 정도만 개발한 상태다. 10 초반대 나노 공정인 1z D램도 조만간 양산을 시작한다는 계획이다.

수 나노대 공정 도입도 머지 않았다. EUV란 극자외선을 이용해 반도체 웨이퍼를 작성하는 초정밀 공정이다. 삼성전자는 화성과 평택캠퍼스에 각각 EUV 라인을 구축하고, 이르면 내년 하반기부터 시험 운영도 시작한다. SK하이닉스도 머지 않아 EUV 공정을 양산에 도입한다는 입장이다.

중국은 아직 D램 양산조차 시작하지 못했다. 그나마 양산을 시작해도 20나노대 후반인 2x 제품을 내놓을 것으로 예상된다. 중미간 무역 전쟁으로 양산이 더 늦춰질 가능성도 점처진다. D램 시장에서 중국의 영향력은 그리 크지 않을 것이라는 분석도 이 때문이다.



◆차세대 메모리도 선점

그러나 메모리 반도체 시장은 중국과 격차가 많이 좁혀졌다. 최근 중국 UNIC 메모리 테크놀로지는 시장 주력 제품 중 하나인 64단 3D낸드플래시 시제품을 공개했다. 삼성전자와 SK하이닉스는 92단 낸드를 양산하거나 개발한 상태로, 기술 차이는 1~2년 정도로 평가된다.

그럼에도 반도체 업계는 개의치 않는 모양새다. 메모리 반도체 시장 경쟁력은 누가 더 효율적으로 만드는 것이 중요한만큼, 여전히 경쟁력에서 뒤쳐지지 않는다는 계산이다.

특히 국내 반도체 업계는 차세대 메모리 경쟁에서도 두각을 나타내고 있다. 특정 물질 형태 변화를 이용해 데이터를 저장하는 P램이 대표적이다. 낸드플래시보다 빠르고 비휘발성인 성격을 갖고 있다. 삼성전자는 2004년 세계 최초로 64MB P램을 개발한 이후 기술력을 주도하고 있고, SK하이닉스도 2012년 IBM과 손잡고 개발에 몰두하는 중이다. D램보다 속도가 빨라질 수도 있어서, D램까지도 대체할 수도 있다.

한 업계 전문가는 "반도체는 더 작고 싸게 만드는 것이 관건"이라며 "기술 획득 여부보다는 더 효율적으로 만들 수 있는지에 승패가 갈린다. 국내 업체 기술력이 크게 앞서 있는 만큼, 중국 업계가 추격하지 못할 수도 있다"고 예상했다.