SK하이닉스가 2세대 10나노급 개발에 성공했다. 내년부터 양산에 공급할 예정이다.

SK하이닉스는 최근 2세대 10나노급(1y) 미세공정을 적용한 8Gbit DDR4 D램을 개발했다고 12일 밝혔다.

이전세대(1x)보다 생산성이 20%가량 높아졌고, 전력소비는 15% 이상 줄었다. 데이터 전송 속도는 3200Mbps에 달한다.

SK하이닉스는 데이터 전송 속도 향상을 위해 '4Phase Clocking' 설계를 적용했다고 설명했다. 신호를 2배로 늘려 동작 속도와 안정성을 높이는 기술이다.

'센스 앰프 제어 기술'도 주요 특징이다. 데이터를 증폭하는 센스앰프 성능을 강화하는 기술로, 공정을 미세화할 수록 전력소비와 데이터 오류발생 가능성을 줄일 수 있다.

김석 DRAM마케팅담당 상무는 "이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품으로, 내년 1분기부터 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응 할 것"이라고 말했다.