무선주파수(RF) 증폭기 국내 1위 제조업체 RFHIC가 엔에이치스팩8호와 합병을 통해 코스닥 입성을 추진한다.

RFHIC는 21일 서울 여의도에서 가진 합병상장 기자간담회를 통해 엔에이치스팩8호와 합병비율은 1대8.7180000, 합병 기일은 내달 1일로 예정돼 있다고 밝혔다.

지난 1999년 설립된 RFHIC는 국내 유일 GaN(질화갈륨) 소재를 적용한 GaN 트랜지스터 및 통신용, 레이더용 전력증폭기를 생산하는 반도체 부품 기업이다.

지금처럼 광대역 주파수가 필요없을 때는 실리콘(LDMOS)이라는 값싼 소재가 통신장비 부품에 쓰였다. 하지만 통신기술이 4G를 넘어 5G로 넘어가고 사물인터넷(IoT) 등의 발전으로 통신하는 개체수가 많아지자 고도화된 통신 기술이 필요해졌다.

이에 값은 비싸지만 주파수 대역폭이 2배 이상 크고, 크기도 실리콘 소자의 절반에 불과한 GaN이 주파수 한계를 극복할 수 있는 차세대 화합물 반도체 소자로 꼽히고 있다.

조덕수 RFHIC 대표이사는 "처음에 GaN을 이용해 반도체 부품을 만들겠다고 했을 때 다들 가격경쟁력이 없어서 뒤쳐질 거라고 했다"면서 "하지만 사업 초반 대량 양산과 공격적인 가격정책을 통해 시장에 빠르게 안착할 수 있었다"고 말했다.

이러한 사업력은 지난 2014년 세계 1위 통신장비업체인 화웨이와 거래를 시작한 계기가 됐고, 지난해 매출액 절반이 화웨이에서 나왔다. 올해는 노키아 등 신규거래처를 추가로 확보해 매출 포트폴리오 다변화를 이뤘다.

지난해 매출액은 612억원으로 2015년(497억원)대비 23.1% 증가했다. 다만 순이익은 2014년(131억원)대비 크게 하락한 56억원을 기록했는데 이는 공장이전에 따른 일시적 수율 하락과 시장 확대를 위한 공격적 가격 정책에 따른 영향이다.

내년부터 통신분야에서의 순이익 감소분은 방산분야에서 상쇄될 것으로 보인다.

조 대표는 내년 방산분야에서 200억원 정도의 매출이 발생할 것으로 보고 있다. 현재 미국 현지에 지분 100%의 법인을 설립했고, 내년부터 방산부문 레이더로 쓰일 GaN 전력증폭기를 생산해 방산산업을 선점하고 있는 미국에서 가격경쟁력을 무기로 도전장을 낸다. 이미 다수의 글로벌 방산업체에 벤더(Vendor)로 등록돼 있다.

아울러 꿈의 소자로 불리는 갠 온 다이아몬드(GaN on Diamond) 웨이퍼를 개발·양산해 세계 최초로 무선통신시장과 방산시장에 적용할 계획이다.

RFHIC는 내달 1일 코스닥 시장에 상장할 예정이다. 이번 스팩합병상장을 통해 마련될 약 142억원의 자금은 GaN트랜지스터 개발(35.9%), 통신 GaN전력증폭기 개발(23.2%), 레이더 GaN전력증폭기(16.2%) 등에 사용될 예정이다.