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추격자 삼성 '반도체 공룡' 인텔 넘어서나

3D낸드·시스템반도체·D램 경쟁력↑…반도체 1위 도약 기대

3D 낸드가 적용된 삼성전자의 SSD. /삼성전자 제공



[메트로신문 조한진 기자] 삼성전자가 글로벌 '넘버 원' 반도체 기업에 한발짝 더 다가서고 있다. 3차원(3D) 낸드와 시스템반도체, D램 '삼각 편대'를 앞세워 미국 인텔과의 격차(1.6%p)를 근소하게 좁히며 정상을 향한 맹추격을 하고 있는 것이다.

6일 전자업계에 따르면 삼성전자는 차별화된 집적화와 미세공정 기술을 앞세워 경쟁력을 강화하고 있다.

업계는 삼성전자 반도체가 내년에 더 많은 매출과 영업이익을 기록할 것으로 전망하고 있다. 3D 낸드와 시스템 반도체 등의 경기 회복이 예상되면서다. 일각에서는 인텔을 넘어설 수 있을 것이라는 예상까지 나오고 있다.

이세철 NH투자증권 연구원은 "삼성전자의 3D 낸드와 시스템 반도체의 역량 강화가 본격화 되면 반도체 1위 업체로 성장할 것으로 기대된다"고 말했다.

실제 삼성전자는 인텔을 턱밑까지 추격하고 있다. 시장조사기관 IHS에 따르면 올해 2분기 글로벌 반도체 시장(메모리·비메모리 종합)에서 삼성전자는 103억6600만달러의 매출을 올려 시장 점유율 12.0%를 기록했다. 같은 기간 매출 117억9700만달러를 올린 인텔의 점유율은 13.6%였따. 삼성과 인텔의 점유율 격차는 1.6%포인트에 불과하다. 양사의 격차가 1%대로 좁혀진 것은 처음이다.

삼성전자 반도체는 차별화된 기술력을 바탕으로 경쟁업체들과의 격차를 벌리고 있다.

우선 삼성전자는 3D 낸드 공정을 32단에서 48단으로 전환하고 있다. 현재 유일하게 3D 낸드를 양산하는 삼성전자의 48단 공정이 본격화 될 경우 원가를 30%이상 낮출 것으로 업계는 판단하고 있다. 여기에 내년에는 64단까지 효율을 높일 것으로 전망되면서 삼성전자의 가격 경쟁력은 더욱 강화될 것으로 관측된다.

시스템 반도체 분야에서 삼성전자는 14나노 핀펫(FinFET) 공정을 본격화하고 있다. 메모리 미세공정 노하우를 활용해 10나노 공정 개발도 진행하고 있다. 현재 10나노급 공정 기술을 보유하고 있는 업체는 삼성전자와 인텔, TSMC 뿐인 것으로 알려졌다.

아울러 삼성전자는 몽구스 프로젝트로 알려진 자체 시스템 반도체의 설계도 진행하고 있다. 플래그십 스마트폰 갤럭시S7 이후부터 삼성전자는 자체 설계 프로세서를 탑재해 성능 최적화를 진행할 것으로 예상된다.

글로벌 시장 정상을 지키고 있는 메모리 반도체 분야에서도 삼성전자는 지배력을 강화할 계획이다. 삼성전자는 DDR4 공정을 20나노 공정에서 10나노급 공정으로 전환해 원가 경쟁력 지속 확보할 것으로 전망된다. 향후 고용량 DDR4램은 프리미엄 스마트폰과 태블릿PC 등 고성은 모바일기기에 탑재가 확대될 것으로 예상된다.
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